Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 5, страницы 869–873 (Mi phts1209)  
Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках КНС

Ф. И. Борисов, Ю. В. Воробьев, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов
PDF полного текста (756 kB)
Аннотация: Приводятся результаты исследований обнаруженной спин-зависимой рекомбинации в пленках кремния на сапфире (КНС). Определен механизм основных рекомбинационных переходов, найдены некоторые параметры модели: скорость межцентрового перехода ${W_{S}=3\cdot10\,\text{с}^{-1}}$, расстояние между парными центрами менее 400 Å. Обнаружена и объяснена полевая зависимость спин-зависимой рекомбинации.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Борисов, Ю. В. Воробьев, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов, “Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках КНС”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 869–873
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VorStrShm85}
\by Ф.~И.~Борисов, Ю.~В.~Воробьев, В.~И.~Стриха, О.~В.~Третяк, А.~А.~Шматов
\paper Исследование спин-зависимой рекомбинации в~пленках
КНС
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 5
\pages 869--873
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1209}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1209
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i5/p869
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:40
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025