Влияние нейтронного облучения на фотолюминесценцию варизонных структур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Исследовались спектры фотолюминесценции нелегированных варизонных полупроводниковых структур на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (${x\leqslant0.36}$) $n$-типа, облученных быстрыми нейтронами (средняя энергия спектра нейтронов ${\sim2}$ МэВ). Из спектров излучения определены эффективные длины переноса неравновесных дырок в ускоряющих квазиэлектрических полях варизонных структур и построены зависимости деградации обратного времени жизни дырок от флюенса нейтронов. Контроль концентрации основных носителей заряда в облученных образцах и анализ кривых деградации обратного времени жизни неосновных носителей заряда выявили существенные различия радиационных эффектов в варизонных структурах по сравнению с такими эффектами в однородных полупроводниках, которые, по-видимому, обусловлены сильной пространственной неравновесностью варизонных структур.