Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования

Приведены результаты исследования гальваномагнитных эффектов в выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии селективно-легированных гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs с различными толщинами нелегированного слоя AlGaAs. Показано, что концентрация заряженных центров в нелегированном слое существенно влияет на подвижность носителей в двумерном канале.
По осцилляциям Шубникова–де-Гааза было обнаружено заселение носителями двух подзон размерного квантования. Энергетический спектр двумерных носителей, положение уровня Ферми, а также их изменения при освещении находятся в хорошем согласии с теоретической моделью Т. Ando (J. Phys. Soc. Japan, 1982, v. 51, № 12, p. 3893–3899).