Сужение края экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников

Изучено влияние различных параметров твердого раствора на ширину линии экситонного поглощения. Обнаружено, что для полупроводниковых сплавов, в которых ширина запрещенной зоны мало меняется с изменением состава, возможно сильное сужение экситонной линии поглощения. Эффект сужения изучен на примере низкочастотного края экситонного поглощения и зависит от разности масс электрона и дырки. Наиболее узкий край экситонного поглощения должен наблюдаться в полупроводниках, в которых массы электрона и дырки мало различаются.