Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 9, страницы 1589–1596 (Mi phts1380)  

Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов

О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, Т. В. Львова, С. И. Трошков
Аннотация: Теоретически предсказана и экспериментально обнаружена сублинейность зависимости обратного квадрата барьерной емкости как функции смещения для резкой асимметричной $p^{+}{-}n$-структуры. Сублинейность растет с ростом асимметрии. Показано, что емкостное напряжение отсечки определяется только концентрацией доноров, и дается алгоритм ее вычисления.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, Т. В. Львова, С. И. Трошков, “Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1589–1596
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonMezEgo85}
\by О.~В.~Константинов, О.~А.~Мезрин, Б.~В.~Егоров, В.~М.~Лантратов, Т.~В.~Львова, С.~И.~Трошков
\paper Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных
$p{-}n$-переходов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 9
\pages 1589--1596
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1380}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1380
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i9/p1589
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:88
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026