Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ с помощью DLTS

Описаны результаты исследования влияния облучения $\gamma$-квантами $^{60}$Со на свойства $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ с помощью емкостной спектроскопии (DLTS).
Из измерений дозовых зависимостей концентрации глубоких уровней (ГУ) в $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ получено, что изменения $N_{\text{г}}$ в исследованном интервале доз облучения носят немонотонный характер и зависят от начальной концентрации ГУ. Обнаружено, что $\gamma$-облучение вводит новый уровень, связанный с радиационными дефектами (${E_{c}-0.17}$ эВ–$A$-центр). Показано, что введение марганца в кремний приводит к замедлению процесса радиационного дефектообразования: скорость введения $A$-центра в $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ значительно меньше, чем в контрольных образцах.