|
Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 11, страницы 2004–2007
(Mi phts1480)
|
|
|
|
Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах
InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости
Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс
Аннотация:
Проведено исследование поглощения СВЧ излучения
в жидкофазных гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP при комнатной
температуре. Исследованные гетероструктуры тестировались на наличие двумерной
проводимости на гетерогранице с помощью анализа анизотропии
низкотемпературного магнитосопротивления.
Обнаружена корреляция свойств гетероструктур. В структуре с квазидвумерным
электронным газом поглощение СВЧ мощности непрерывно возрастает
с увеличением падающей мощности, в то время как в структуре
с трехмерной проводимостью соответствующая зависимость насыщается.
Образец цитирования:
Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, Р. Вашкявичюс, “Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах
InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2004–2007
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1480 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v19/i11/p2004
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 49 |
|