|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 661–664
(Mi phts156)
|
|
|
|
Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте
металл–гидрогенизированный аморфный кремний
Ю. В. Воробьев, С. С. Кильчицкая, Р. П. Комиренко, С. В. Литвиненко, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
Аннотация:
Установлено, что среди исследованных: фоточувствительных
структур типа Pt${-\alpha$-Si : Н} с барьером Шоттки
можно выделить дно группы с разными спектрами фоточувствительности.
В I группе, характеризующейся наличием спада фоточувствительности
в коротковолновой части спектра, имеет место усиление тока короткого
замыкания в длинноволновой области при наличии коротковолновой подсветки.
Показано, что этот эффект (а также сопровождающее его снижение
фоточувствительности в коротковолновой области) связан с особенностями формы
потенциального барьера в структурах и с ее изменением при включении
коротковолновой подсветки. II группа структур не имеет «завала»
в коротковолновой части спектра, и эффект неаддитивности возбуждения
фототока здесь не наблюдается.
Поступила в редакцию: 09.07.1985 Принята в печать: 30.10.1985
Образец цитирования:
Ю. В. Воробьев, С. С. Кильчицкая, Р. П. Комиренко, С. В. Литвиненко, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха, “Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте
металл–гидрогенизированный аморфный кремний”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 661–664
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts156 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i4/p661
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 73 | PDF полного текста: | 35 |
|