Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 250–254 (Mi phts1600)  

Примесная зона кластеров железа в кремнии

Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, И. Д. Залевский

Московский институт тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Методом ЭПР исследованы бездислокационные монокристаллы нелегированного кремния $n$-типа, выращенные методом бестигельной зонной плавки. Образцы обладали удельным сопротивлением в интервале от 20 до ${2\cdot10^{4}\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$. Во всех образцах обнаружен магниторезистивный эффект, величина которого коррелирует с удельной электропроводностью. Теоретический анализ полевой и температурной зависимостей кривых магнитосопротивления и высокочастотной проводимости, а также эксперименты по отжигу образцов позволили сделать вывод, что источником электронов, ответственных за магниторезистивный эффект, являются кластеры из междоузельных атомов железа, образующие примесную зону, отделенную от зоны проводимости энергетической щелью, равной ${\sim5\cdot10^{-3}}$ эВ.
Поступила в редакцию: 02.08.1983
Принята в печать: 29.08.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, И. Д. Залевский, “Примесная зона кластеров железа в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 250–254
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BobKazFis84}
\by Ю.~А.~Бобровников, В.~М.~Казакова, В.~И.~Фистуль, И.~Д.~Залевский
\paper Примесная зона кластеров железа в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 2
\pages 250--254
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1600}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1600
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i2/p250
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:70
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025