Перколяционная неомическая проводимость поликристаллических полупроводников

Аналитически и с помощью моделирования на ЭВМ исследуется зависимость от электрического поля проводимости поликристаллических полупроводников с большим разбросом высот межкристаллических барьеров. Показано, что в широком диапазоне полей геометрия токовых путей не зависит от поля. Полученная в этом приближении формула подтверждает положение о пропорциональности степени неомичности поликристалла величине разброса высот барьеров. Показано хорошее согласие между теорией, результатами моделирования и экспериментальными ВАХ поликристаллического ZnO.