Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 4, страницы 628–630 (Mi phts1694)  
« Холодная» кристаллизация аморфизованного кремния при облучении ионами бора

И. А. Аброян, Л. М. Никулина

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина
PDF полного текста (432 kB)
Аннотация: Исследовано влияние бомбардировки ионами бора на образцы кремния, предварительно сильно разупорядоченные ионами аргона. Наблюдались восстановление нарушенной структуры вблизи поверхности и кристаллизация аморфизованного кремния в приповерхностной области при температурах облучения, не превышающих 40$^{\circ}$С.
Поступила в редакцию: 29.12.1982
Принята в печать: 14.11.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: И. А. Аброян, Л. М. Никулина, “« Холодная» кристаллизация аморфизованного кремния при облучении ионами бора”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 628–630
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrNik84}
\by И.~А.~Аброян, Л.~М.~Никулина
\paper << Холодная>> кристаллизация аморфизованного кремния при облучении ионами бора
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 4
\pages 628--630
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1694}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1694
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i4/p628
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:80
    PDF полного текста:80
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025