Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 5, страницы 797–801 (Mi phts1737)  
Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках III.  Сопоставление с экспериментом

В. И. Фистуль, М. И. Синдер

Московский институт тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова
PDF полного текста (402 kB)
Аннотация: Приведен экспериментальный пример диффузии фосфора в кремний, качественно согласующийся с ранее развитой теорией, описывающей приповерхностные примесные профили с учетом образования подвижных комплексов из диффундирующих компонентов.
Поступила в редакцию: 09.11.1983
Принята в печать: 14.11.1983
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: В. И. Фистуль, М. И. Синдер, “Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках III.  Сопоставление с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 797–801
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FisSin84}
\by В.~И.~Фистуль, М.~И.~Синдер
\paper Диффузионные приповерхностные примесные профили в~полупроводниках III.\,\,Сопоставление с~экспериментом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 5
\pages 797--801
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1737}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1737
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i5/p797
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025