Поведение свободных носителей заряда при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света

Теоретически исследовано поведение фотовозбужденных носителей в полупроводнике за время действия импульса, длительность которого меньше времени рекомбинации. В начальной стадии импульса за счет процессов релаксации устанавливается термодинамически равновесное состояние системы, характеризуемое фермиевским распределением носителей и являющееся состоянием насыщения. На последующей стадии состояние системы описывается термодинамическими параметрами. Это описание проводится на основе представления о квазичастицах Галицкого–Гореславского–Елесина. Вычислена поглощенная в импульсе энергия поля. Рассмотрено два случая, когда взаимодействием квазичастиц с решеткой за время импульса можно пренебречь и когда температура квазичастиц все время равна температуре решетки.