Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 6, страницы 1021–1024 (Mi phts1791)  

Исследование скорости ударной ионизации в Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te

Е. В. Богданов, Н. Б. Брандт, Л. С. Флейшман

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Аннотация: Для Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te $n$-типа получены зависимости скорости $g$ ударной ионизации от напряженности электрического поля при температурах 4.2 и 77 K. Установлено, что в исследованном интервале электрических полей величина $g$ уменьшается с ростом температуры. При 4.2 K наблюдалось немонотонное изменение $g$ как в продольном, так и в поперечном магнитном поле: первоначальный рост сменяется падением в больших магнитных полях.
Поступила в редакцию: 09.12.1982
Принята в печать: 05.01.1984
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Е. В. Богданов, Н. Б. Брандт, Л. С. Флейшман, “Исследование скорости ударной ионизации в Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1021–1024
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BogBraFle84}
\by Е.~В.~Богданов, Н.~Б.~Брандт, Л.~С.~Флейшман
\paper Исследование скорости ударной ионизации в~Hg$_{0.80}$Cd$_{0.20}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 6
\pages 1021--1024
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1791}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1791
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i6/p1021
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026