|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 104–108
(Mi phts18)
|
|
|
|
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью
А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Исследованы фотолюминесценция и температурная зависимость спектров фотолюминесценции сильно легированных и сильно компенсированных эпитаксиальных слоев GaSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Предложены модель примесной рекомбинации и возможная структура примесных центров.
Поступила в редакцию: 02.01.1985 Принята в печать: 01.08.1985
Образец цитирования:
А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 104–108
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts18 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i1/p104
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 67 | PDF полного текста: | 35 |
|