Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 104–108 (Mi phts18)  

Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью

А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов

Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Исследованы фотолюминесценция и температурная зависимость спектров фотолюминесценции сильно легированных и сильно компенсированных эпитаксиальных слоев GaSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Предложены модель примесной рекомбинации и возможная структура примесных центров.
Поступила в редакцию: 02.01.1985
Принята в печать: 01.08.1985
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Аршавский, В. В. Арбенина, С. И. Скаковский, В. И. Фистуль, Н. Ю. Шлямов, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 104–108
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ArsArbSka86}
\by А.~Н.~Аршавский, В.~В.~Арбенина, С.~И.~Скаковский, В.~И.~Фистуль, Н.~Ю.~Шлямов
\paper Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb, сильно легированных амфотерной примесью
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 1
\pages 104--108
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts18}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts18
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i1/p104
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025