|
Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 7, страницы 1230–1232
(Mi phts1839)
|
|
|
|
Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных
жидкофазной эпитаксией
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Впервые сообщается об обнаружении двумерного электронного
газа в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InP, полученных
жидкофазной эпитаксией. По осцилляциям Шубникова–де-Гааза определены
некоторые параметры электронной системы.
Поступила в редакцию: 06.02.1984 Принята в печать: 09.02.1984
Образец цитирования:
Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных
жидкофазной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1230–1232
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts1839 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i7/p1230
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 116 | PDF полного текста: | 177 |
|