Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 7, страницы 1237–1241 (Mi phts1841)  

Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах

Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, А. В. Приходько, В. В. Рождественский, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация: В гетероструктурах InGaAs/InP с модулированным легированием обнаружена анизотропия радиационной температуры СВЧ шума, излучаемого токовым шнуром вдоль и поперек гетерограницы в режиме электрической неустойчивости. Полученные результаты не противоречат представлениям о квазидвумерной проводимости на границе гетероперехода при комнатной температуре и согласуются с результатами исследования магнитосопротивления на тех же гетероструктурах при 4.2 K.
Поступила в редакцию: 19.02.1984
Принята в печать: 16.02.1984
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, А. В. Приходько, В. В. Рождественский, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1237–1241
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfGorMam84}
\by Ж.~И.~Алфёров, А.~Т.~Гореленок, В.~В.~Мамутин, Т.~А.~Полянская, А.~В.~Приходько, В.~В.~Рождественский, И.~Г.~Савельев, Ю.~В.~Шмарцев
\paper Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости
в~квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 7
\pages 1237--1241
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1841}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts1841
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v18/i7/p1237
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:107
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025