Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковых сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$

Приведены результаты исследований времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${0.085\leqslant x\leqslant0.17}$) $n$-типа в продольных магнитных полях до 40 кЭ и при температурах ${2\div30}$ K. Совокупность полученных данных удается в основном объяснить в рамках одной модели, если предположить, что в полупроводниковых сплавах висмут–сурьма высокой чистоты в области слабой накачки при низких температурах доминирует рекомбинация через центры.