Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы

Рассмотрены основные черты поведения изоэлектронных (изовалентных) примесей (ИБП) в полупроводниках: образование связанных состояний, в том числе находящихся в резонансе с непрерывным спектром зонных электронов, и влияние на содержание фоновых точечных дефектов в кристаллах.
Проанализированы ряд эмпирических моделей и основные теоретические представления о поведении изовалентных примесей. Показано, что строгое рассмотрение проблемы должно учитывать ионные потенциалы ИВП и замещающих атомов, электронную поляризацию и локальные искажения кристаллической решетки вблизи атома ИБП.
Намечены пути построения строгой теории и основные задачи экспериментального изучения полупроводников с ИБП.