Ток увлечения электронов при двухфотонной ионизации глубоких примесных центров в полупроводниках

При использовании обобщенного варианта модели Луковского рассчитан ток увлечения электронов при двухфотонной ионизации глубоких примесных центров с учетом заряда их ядра. Исследованы спектральная зависимость тока, а также его зависимость от глубины энергетического залегания примеси в запрещенной зоне. Предсказаны «резонансные» всплески тока увлечения, обусловленные наличием у заряженной примеси квазикулоновских дискретных возбужденных состояний. Рассмотрены примеси с различными значениями энергий ионизации. Показано, что с уменьшением энергии ионизации примеси становится существенным вклад дискретных состояний.