Туннельная рекомбинация в $a$-Si$\langle$H$\rangle$ в области « высоких» температур $300{-}500$ K

Проведено экспериментальное исследование фотопроводимости в $a$-Si$\langle$H$\rangle$ и ее кинетики в области температур $300{-}500$ K. Показано, что в области ${\sigma_{\text{ф}}<\sigma_{\text{т}}}$ ряд особенностей кинетики можно объяснить в рамках модели туннельной рекомбинации локализованных носителей, причем темп рекомбинации определяется доминирующими равновесными концентрациями электронов и дырок.