Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP

Обнаружено влияние спин-орбитального рассеяния электронов на магнитосопротивление квазидвумерного электронного газа в гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP с модулированным легированием. Путем анализа зависимостей магнитосопротивления от величины и направления магнитного поля определены эффективная ширина потенциальной ямы, в которой локализованы электроны, и времена релаксации фазы волновой функции $\tau_{\varphi}$ и спин-орбитального взаимодействия электронов $\tau_{\text{so}}$. Экспериментальные значения времен сравниваются с различными теоретическими моделями. Исходя из экспериментальных значений $\tau_{so}$ оценен параметр спин-орбитального расщепления в In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As ${\alpha^{2}=0.27}$.