|
Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 134–138
(Mi phts2116)
|
|
|
|
К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых
растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
А. Я. Вуль, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев
Аннотация:
Анализ обратных ветвей ВАХ $p{-}n$-переходов на основе
твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ показывает, что в пробойной области
обратные токи существенно превышают по величине значения, рассчитанные
в рамках простейшей модели межзонного туннельного пробоя, хотя температурная
зависимость напряжения пробоя соответствует туннельному механизму.
На основании того, что зависимость тока от величины электрического поля
в $p{-}n$-переходе имеет вид ${j\sim E^{1/2}}$, высказано предположение, что
природа избыточных токов в предпробойной области связана с флуктуациями
состава и концентрации примеси в твердых растворах.
Образец цитирования:
А. Я. Вуль, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых
растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 134–138
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2116 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i1/p134
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 113 | PDF полного текста: | 37 |
|