Ударная ионизация и сверхрешетка в $6H$-SiC

Приведены результаты исследовании коэффициентов ударной ионизации в $6H$-SiC для двух направлений электрического поля относительно оси С гексагонального кристалла ${E\parallelC}$ и ${E\perpC}$, электрического поля пробоя и напряжения пробоя $p{-}n$-переходов. Показано, что умножение носителей для ${E\parallelC}$ монополярно и производится дырками, а для ${E\perpC}$ в умножении носителей эффективно участвуют электроны и дырки. Монополярный характер умножения для ${E\parallelC}$ объясняется минизонной структурой зоны проводимости для направления, параллельного оси C.