|
Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 1107–1110
(Mi phts2353)
|
|
|
|
Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных
твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
В. И. Фистуль
Аннотация:
Теория поведения амфоторной примеси в кристаллах
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ обобщена на твердые растворы на их основе.
Сущность теории представляет термодинамический анализ распределения амфотерной
примеси по подрешеткам кристалла — соединения. Показано, что это
распределение, а следовательно, и степень компенсации кристаллов определяются
давлением пара над кристаллом и составом твердого раствора в случае анионного
замещения и только давлением пара при катионном замещении.
Образец цитирования:
В. И. Фистуль, “Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных
твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1107–1110
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2353 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i6/p1107
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 78 | PDF полного текста: | 34 |
|