Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1083–1088 (Mi phts250)  

Температурные поправки к эффекту Холла и проводимости в сильно легированном германии $n$-типа

А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация: Показано, что зависимость температурного коэффициента постоянной Холла от концентрации примесей в $n$-Ge$\langle$As$\rangle$ качественно объясняется теорией электрон-электронного взаимодействия. В области гелиевых температур обнаружен дополнительный вклад в проводимость ${\sim T^{0.5}}$. Найден критический индекс перехода металл–диэлектрик для проводимости $n$-Ge$\langle$As$\rangle$.
Поступила в редакцию: 23.10.1985
Принята в печать: 20.12.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак, “Температурные поправки к эффекту Холла и проводимости в сильно легированном германии $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1083–1088
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IonMatShl86}
\by А.~Н.~Ионов, М.~Н.~Матвеев, И.~С.~Шлимак
\paper Температурные поправки к~эффекту Холла и~проводимости в~сильно
легированном германии $n$-типа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 6
\pages 1083--1088
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts250
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i6/p1083
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025