Влияние вакансии на формирование поверхностных барьеров политипов SiC

В последнее время интенсивно развивается новое представление о существенном влиянии вакансий, находящихся вблизи поверхности полупроводника, на формирование барьера Шоттки. В данной работе впервые проведены систематические измерения высоты барьера на политипах SiC: $4H$, $8H$, $6H$, $10H$, $15R$, $21R$, $27R$, в которых концентрация собственных вакансий $V_{C}$ резко различается. Показано, что теоретически предсказанное поведение вакансий на поверхности полупроводника коррелирует с наблюдаемой экспериментально закономерностью изменения высоты барьера на различных политипах.