« Горячее» ионное легирование $p$-InSb серой (свойства $n{-}p$-переходов)

Исследованы $n{-}p$-переходы, полученные «горячим» легированием ионами серы антимонида индия $p$-типа. Выбранный режим ионной имплантации (энергия ионов ${E=40}$ кэВ, температура облучения ${T_{\text{обл}}=290^{\circ}}$С, плотность ионного тока ${j=2.0\,\text{мкА/см}^{2}}$, интервал доз ${D=3.75\div6.25\cdot10^{14}\,\text{см}^{-2}}$) обеспечивает малую степень разупорядоченности кристаллов. В ток прямой ветви ВАХ $n{-}p$-переходов основной вклад вносит диффузионная составляющая (${\eta\approx1.23}$). Обратная ветвь ВАХ характеризуется малой величиной обратного тока ${J=5\cdot10^{-7}\,\text{А/см}^{2}}$ при ${U=2\div4}$ В и высокими значениями пробивного напряжения ${U_{\text{пр}}=10\div12}$ В.