Светящиеся точки и пробой в структуре транзисторов на GaAs

Экспериментально изучены особенности пробоя транзисторных структур на GaAs. Обнаружено, что излучение в видимом диапазоне спектра, сопровождающее пробой, концентрируется в виде «точек» в различных областях структуры. При этом деградация структуры, предшествующая необратимому пробою, сводится к появлению на поверхности полупроводниковой пленки капель Ga, расположение которых соответствует расположению светящихся точек. Обсуждены возможные механизмы наблюдаемых явлений.