Влияние одноосной деформации на свойства карбид-кремниевых диодов Шоттки

Исследовано влияние деформации на электролюминесцентные и электрические свойства обратно смещенных карбид-кремниевых диодов Шоттки. Обнаружено различие спектров электролюминесценции при сжатии кристалла параллельно и перпендикулярно его оптической оси. Экспериментальные результаты указывают на изменение при деформации не только ширины запрещенной зоны, но и других параметров полупроводника. Обнаруженный эффект изменения интенсивности излучения достаточен для использования предпробойного излучателя на карбиде кремния в качестве оптоэлектронного тензодатчика для работы при больших механических нагрузках и высоких температурах.