Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 1995–2002 (Mi phts2592)  
Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках I.  Постановка задачи. Последовательная диффузия

В. И. Фистуль, М. И. Синдер
PDF полного текста (789 kB)
Аннотация: Развита теория диффузионных примесных профилей, учитывающая подвижность примесных комплексов. Получены аналитические выражения примесных профилей для случая последовательной диффузии. Показано, что основной характерной особенностью, возникающей в результате учета сильного взаимодействия диффундирующих компонентов, является особая точка на примесных профилях, имеющая смысл фронта реакции образования комплекса.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Фистуль, М. И. Синдер, “Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках I.  Постановка задачи. Последовательная диффузия”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1995–2002
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FisSin83}
\by В.~И.~Фистуль, М.~И.~Синдер
\paper Диффузионные приповерхностные примесные профили
в~полупроводниках
I.\,\,Постановка задачи. Последовательная диффузия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 11
\pages 1995--2002
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2592}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2592
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i11/p1995
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025