Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках II. Одновременная и взаимная диффузия

Теория, развитая в части I, применяется для расчета примесных профилей при одновременной и взаимной диффузии в приближении сильного комплексообразования. На основании учета конечной толщины фронта реакции получены ограничения на константу комплексообразования $k$, ${k\ll k_{\text{крит}}}$, необходимые для возникновения фронта реакции образования комплекса ($k_{\text{крит}}$ — критическая величина константы комплексообразования, определяемая по концентрациям и коэффициентам диффузии компонентов).