Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 301–306 (Mi phts2724)  

Квантовый гармонический резонанс в кремнии

Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль
Аннотация: При температуре жидкого гелия в условиях ${\hbar\omega/kT\ll1}$ получена полная угловая зависимость гармонических переходов (${\Delta n> 1}$) между нижними уровнями Ландау в валентной зоне кремния. Проведено сопоставление полученных данных с квантовой теорией носителей во внешнем магнитном поле, развитой Латинджером для алмазоподобных полупроводников. Рассчитанная угловая зависимость квантовых гармонических и классических линий циклотронного резонанса хорошо согласуется с экспериментом. Значения констант в гамильтониане Латинджера равны ${\gamma_{1}=4.22}$, ${\gamma_{2}=0.53}$, ${\gamma_{3}=1.38}$.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Бобровников, В. М. Казакова, В. И. Фистуль, “Квантовый гармонический резонанс в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 301–306
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fis88}
\by Ю.~А.~Бобровников, В.~М.~Казакова, В.~И.~Фистуль
\paper Квантовый гармонический резонанс в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 2
\pages 301--306
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2724}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2724
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i2/p301
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025