|
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 307–312
(Mi phts2725)
|
|
|
|
Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии
с изовалентными примесями
Ю. М. Бабицкий, Н. И. Горбачева, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. М. Туровский
Аннотация:
Исследована кинетика генерации термодоноров при температуре
430$^{\circ}$С в монокристаллах кремния с изовалентными примесями углерода,
германия или олова. Обнаружено, что наличие в кристаллах высоких концентраций
углерода (${N^{0}_{\text{C}}\gtrsim10^{17}\,\text{см}^{-3}}$) или германия
(${N_{\text{Ge}}\gtrsim10^{19}\,\text{см}^{-3}}$) приводит к менее
эффективному образованию термодоноров. Кинетика их генерации описывается
выражением
${N_{\text{ТД}}(\tau)=N^{\max}_{\text{ТДKD
}}[1-\exp(-(t/\tau)^{n})]}$, где
${n\approx 1}$ в Si без изовалентных примесей, ${n=0.7{-}0.8}$ в
$\text{Si}\langle\text{C}\rangle$ и ${n= 1.3{-}1.4}$ в
$\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$. Определены зависимости начальной
скорости генерации термодоноров от исходных концентраций кислорода, углерода
и германия в монокристаллах.
Образец цитирования:
Ю. М. Бабицкий, Н. И. Горбачева, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. М. Туровский, “Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии
с изовалентными примесями”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 307–312
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2725 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i2/p307
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 77 | PDF полного текста: | 45 |
|