Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света

При наклонном и нормальном падении света исследованы спектры экситонного отражения структуры с одиночной квантовой ямой GaAs$-$AlGaAs, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Анализ спектра отражения, снятого при углах, близких к скользящему, в $p$-поляризации позволил надежно определить резонансные частоты, силы осцилляторов и затухание квазидвумерных экситонов, образованных с участием тяжелой и легкой дырок. Показано, что измерение формы дисперсионного контура экситонного отражения при нормальном падении является чувствительным методом для контроля толщины барьерных слоев гетероструктуры.