|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1209–1213
(Mi phts285)
|
|
|
|
$S$-образная вольтамперная характеристика при межзонном пробое
в узкозонном полупроводнике в условиях размерного эффекта
А. В. Дмитриев Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Показано, что при межзонном пробое в тонких образцах
узкозонных полупроводников вольтамперная характеристика может приобретать
$S$-образную форму. Диффузионная длина $l_{r}$, длина остывания
$l_{\varepsilon}$ и толщина образца $2a$ должны удовлетворять соотношению
${l_{r}\ll 2a\ll l_{\varepsilon}}$, а рассеяние носителей на поверхности
образца должно быть частично неупругим.
Оценки проведены для узкозонных сплавов Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$.
Поступила в редакцию: 04.05.1985 Принята в печать: 02.01.1986
Образец цитирования:
А. В. Дмитриев, “$S$-образная вольтамперная характеристика при межзонном пробое
в узкозонном полупроводнике в условиях размерного эффекта”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1209–1213
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts285 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1209
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 78 | PDF полного текста: | 115 |
|