Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1209–1213 (Mi phts285)  

$S$-образная вольтамперная характеристика при межзонном пробое в узкозонном полупроводнике в условиях размерного эффекта

А. В. Дмитриев

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: Показано, что при межзонном пробое в тонких образцах узкозонных полупроводников вольтамперная характеристика может приобретать $S$-образную форму. Диффузионная длина $l_{r}$, длина остывания $l_{\varepsilon}$ и толщина образца $2a$ должны удовлетворять соотношению ${l_{r}\ll 2a\ll l_{\varepsilon}}$, а рассеяние носителей на поверхности образца должно быть частично неупругим. Оценки проведены для узкозонных сплавов Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$.
Поступила в редакцию: 04.05.1985
Принята в печать: 02.01.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. В. Дмитриев, “$S$-образная вольтамперная характеристика при межзонном пробое в узкозонном полупроводнике в условиях размерного эффекта”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1209–1213
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dmi86}
\by А.~В.~Дмитриев
\paper $S$-образная вольтамперная характеристика при межзонном пробое
в~узкозонном полупроводнике в~условиях размерного эффекта
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 7
\pages 1209--1213
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts285}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts285
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1209
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:78
    PDF полного текста:115
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025