Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1214–1217 (Mi phts286)  

Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs$_{2}$

С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев

Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете
Аннотация: В области температур ${77\div150}$ K рассчитана дрейфовая подвижность $\mu$ для невырожденных образцов $p$-CdGeAs$_{2$}. Уравнение Больцмана решалось численным методом. Энергетический спектр и волновые функции дырок вычислялись по kp-теории возмущений. Учитывалось рассеяние на ионах примеси, акустических колебаниях, полярных и неполярных оптических фононах.
Показано, что основной вклад в решеточное рассеяние вносят полярные оптические фононы. Рассчитан показатель степени $\alpha$ температурной зависимости $\mu$, определяемый рассеянием на ионах примеси (${\alpha< 1.5}$), акустических колебаниях (${\alpha=-2.6}$) и полярных оптических фононах (${\alpha=-3.5}$).
Поступила в редакцию: 11.06.1985
Принята в печать: 02.01.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: С. И. Борисенко, Г. Ф. Караваев, С. И. Скачков, В. Г. Тютерев, “Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1214–1217
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorKarSka86}
\by С.~И.~Борисенко, Г.~Ф.~Караваев, С.~И.~Скачков, В.~Г.~Тютерев
\paper Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок
в~CdGeAs$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 7
\pages 1214--1217
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts286}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts286
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1214
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025