Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1258–1261 (Mi phts295)  
Фотолюминесценция InP, легированного висмутом

Р. Х. Акчурин, Ю. Ф. Бирюлин, С. А. Исламов, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
PDF полного текста (578 kB)
Аннотация: Исследована фотолюминесценция InP$\langle$Bi$\rangle$, полученного жидкофазной эпитаксией. Обнаружено, что изовалентное легирование висмутом приводит к более однородному пространственному распределению электрически активных фоновых примесей, а также к некоторому увеличению концентрации мелкого акцептора цинка. Обсуждаются возможные причины этих явлений.
Поступила в редакцию: 08.01.1986
Принята в печать: 15.01.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Р. Х. Акчурин, Ю. Ф. Бирюлин, С. А. Исламов, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция InP, легированного висмутом”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1258–1261
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkcBirIsl86}
\by Р.~Х.~Акчурин, Ю.~Ф.~Бирюлин, С.~А.~Исламов, В.~В.~Чалдышев, Ю.~В.~Шмарцев
\paper Фотолюминесценция InP, легированного висмутом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 7
\pages 1258--1261
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts295}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts295
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1258
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025