Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1292–1297 (Mi phts301)  
Температурное тушение фотолюминесценции в аморфном гидрированном кремнии

А. А. Андреев, А. В. Жерздев, А. И. Косарев, И. С. Шлимак

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
PDF полного текста (784 kB)
Аннотация: Исследованы закономерности температурного тушения фотолюминесценции в аморфном гидрированном кремнии при температурах выше 77 K. Для объяснения экспериментальных данных предлагается модель тушения люминесценции, основанная на процессе термоактивированного туннелирования дырок из центров излучательной рекомбинации.
Поступила в редакцию: 19.12.1985
Принята в печать: 02.02.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: А. А. Андреев, А. В. Жерздев, А. И. Косарев, И. С. Шлимак, “Температурное тушение фотолюминесценции в аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1292–1297
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndZheKos86}
\by А.~А.~Андреев, А.~В.~Жерздев, А.~И.~Косарев, И.~С.~Шлимак
\paper Температурное тушение фотолюминесценции в~аморфном гидрированном
кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 7
\pages 1292--1297
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts301}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts301
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1292
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025