Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 11, страницы 2039–2042 (Mi phts3127)  

Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям

В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. В. Строкан, Е. В. Шокина
Аннотация: Стандартные вольтфарадные характеристики не позволяют однозначно решать задачу восстановления профиля распределения примесей в общем случае. Дополнительные условия ее решения вытекают из модели $p{-}n$-перехода. В работе из свойств процесса переноса в электрическом поле ионов лития выделены основные закономерности его распределения в $n^{+}{-}i$ (Li)${-}p$-структуре. Показано, что они позволяют восстанавливать распределение лития в $i$-области по емкостным измерениям. Точность совпадения восстановленного профиля с истинным оценена путем численного моделирования процесса дрейфа. Приведены примеры обработки экспериментальных $C(V)$-зависимостей для различных стадий дрейфа лития в кремнии.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. В. Строкан, Е. В. Шокина, “Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2039–2042
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndEre88}
\by В.~М.~Андреев, В.~К.~Еремин, Н.~В.~Строкан, Е.~В.~Шокина
\paper Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в~кремнии по
емкостным измерениям
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 11
\pages 2039--2042
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3127
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i11/p2039
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:75
    PDF полного текста:52
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026