Особенности явления самокомпенсации в $\text{PbTe}\langle\text{Tl,Pb}_{\text{изб}}\rangle$

Исследовано явление самокомпенсации в РbТе, легированном Tl и избытком Рb. Показано, что экспериментальные данные удается согласовать с теорией, если предположить, что компенсация легирующего действия Tl осуществляется не только одиночными двукратно ионизованными вакансиями теллура, но и путем образования комплексов типа ион примесивакансия Те с энергией связи ${\Delta\varphi_{\text{к}}\sim0.5}$ эВ при $650^{\circ}$С.
Электрофизические свойства компенсированных образцов характеризуются наличием ряда особенностей, свидетельствующих в пользу существования в образцах $p$-типа резонансного уровня в валентной зоне с энергией ${\sim0.1}$ эВ и локального уровня под дном зоны проводимости с энергией ${\sim0.1}$ эВ в образцах $n$-типа.