Многофотонное электропоглощение в полупроводниках с вырожденной валентной зоной

Развита теория межзонного многофотонного поглощения во внешнем однородном электрическом поле E в полупроводниках типа А$^{\text{III}}$В$^{\text{V}}$ с вырожденной валентной зоной, содержащей подзоны легких и тяжелых дырок. Получены аналитические выражения для вероятностей $s$-фотонных переходов из валентной зоны в зону проводимости. Исследованы случаи параллельной и взаимно перпендикулярной ориентаций поля E и электрического поля сильной световой волны $F_{0}\cos wt$. Изучены зависимости поглощения от интенсивности ${\sim F^{2}_{0}}$ и частоты $\omega$ поглощаемого света, от напряженности поля $E$, а также от параметров электронной и дырочной зон. Основное внимание уделено различию вкладов легких и тяжелых дырок в отдельные области спектра нечетно- и четно-фотонного поглощения. Обнаружен продольно-поперечный дихроизм многофотонного электропоглощения в рассмотренных алмазоподобных полупроводниках.