Поперечная фотопроводимость легированной сверхрешетки

Вычислены вольтамперная характеристика и коэффициент фотоэлектрического усиления вертикального фоторезистора на основе легированной сверхрешетки, у которой толщины $n$- и $p$-слоев превышают длину свободного пробега электронов и дырок. Рассмотрены три возможных механизма рекомбинации фотоносителей: излучательный, Оже и Шокли–Рида. Показано, что коэффициент фотоэлектрического усиления вертикального фоторезистора на основе легированной сверхрешетки может достигать величины порядка $10^{5}$ при напряжении смещения всего несколько десятых вольта.