К теории вертикального ЛСР фоторезистора

Рассчитаны основные характеристики вертикального фоторезистора на основе легированной сверхрешетки при низких температурах, когда интенсивность термогенерации носителей мала по сравнению с интенсивностью их фотогенерации тепловым излучением окружающей среды. Расчеты выполнены для трех наиболее часто встречающихся механизмов рекомбинации: излучательной, Оже и Шокли$-$Рида. Показано, что из-за неоднородности фотогенерации носителей по толщине образца все характеристики фоторезистора резко (экспоненциальным образом) ухудшаются при увеличении его толщины более длины поглощения света.