|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 677–683
(Mi phts3316)
|
|
|
|
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров
Аннотация:
Рассмотрена модель, позволяющая определить
величину энергетического барьера миграции примесей
переходных металлов в кремнии. В основе модели лежат понятия
о потенциалах взаимодействия примесного атома с атомами
окружения с учетом локальных искажений кристаллической решетки,
различий в действии кристаллического поля на $d$-орбитали
примесного атома при его нахождении в равновесном положении
и в седловой точке. Показано влияние взаимодействия валентных электронов
атомов кремния с $d$-электронами примесного атома
на величину энергетического барьера миграции.
Образец цитирования:
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 677–683
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3316 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i4/p677
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 92 | PDF полного текста: | 66 |
|