Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 677–683 (Mi phts3316)  

Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции

В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров
Аннотация: Рассмотрена модель, позволяющая определить величину энергетического барьера миграции примесей переходных металлов в кремнии. В основе модели лежат понятия о потенциалах взаимодействия примесного атома с атомами окружения с учетом локальных искажений кристаллической решетки, различий в действии кристаллического поля на $d$-орбитали примесного атома при его нахождении в равновесном положении и в седловой точке. Показано влияние взаимодействия валентных электронов атомов кремния с $d$-электронами примесного атома на величину энергетического барьера миграции.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 677–683
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fis89}
\by В.~И.~Фистуль, В.~А.~Шмугуров
\paper Межузельные состояния примесей переходных металлов в~кремнии. I.~Теория миграции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 4
\pages 677--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3316}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3316
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i4/p677
    Цикл статей
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:92
    PDF полного текста:66
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025