|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 684–687
(Mi phts3317)
|
|
|
|
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров
Аннотация:
Представлены результаты теоретического
расчета энергии миграции межузельных примесей переходных металлов в
кремнии. Установлены общие закономерности в изменении энергетического
барьера миграции от степени заполнения $d$-оболочки, качественно
согласующиеся с изменением ряда физико-химических свойств
$d$-элементов в зависимости от суммарного количества электронов
на внешних оболочках и поведением $d$-примесей в полупроводниках.
Хорошее качественное, а в ряде случаев и количественное согласие
теоретических и экспериментальных энергетических
барьеров миграции подтверждает пригодность разработанной
теоретической модели межузельной миграции к
прогнозированию поведения $d$-примесей в кремнии.
Образец цитирования:
В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 684–687
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3317 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i4/p684
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 66 | PDF полного текста: | 70 |
|