Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC

Методом переключения из прямого направления в обратное в $p^{+}{-}n$- и $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структурах на основе $6H$-SiC проведены измерения времени жизни дырок $\tau_{p}$. Исследовались два типа диодов, различающихся базовым материалом $n$-типа: 1)  промышленные монокристаллы с ${N_{D}-N_{A}\sim2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$, 2)  эпитаксиальные пленки с ${N_{D}-N_{A}\sim2\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$. Между этими диодами выявлены заметные различия в величине $\tau_{p}$ и его температурной зависимости. Результаты измерений интерпретируются в рамках теории каскадного захвата при наличии электрического поля, которое в данном случае, вероятно, обусловлено внутренними деформациями.
Реальность такого предположения подтверждается весьма небольшой величиной необходимых деформаций ${S_{i}=3\cdot 10^{-8}\div3\cdot10^{-7}}$ для создания полей порядка ${10^{3}\div10^{4}}$ В/см, возникающих, по-видимому, при эпитаксиальном наращивании $p^{+}$(Аl)-слоя.