Эффект Франца–Келдыша в полупроводниках в поле двух взаимодействующих сильных световых волн

Рассматривается влияние однородного электрического поля с напряженностью $\bf E$ на межзонное многофотонное поглощение в полупроводнике сильной световой волны с частотой $\omega_{1}$ и амплитудой электрического поля $F_{1}$ в присутствии другой сильной волны с частотой $\omega_{0}$ и полем $F_{0}$. В рамках метода эффективной массы получены аналитические выражения для вероятностей переходов $W^{(s)}_{s'}$, обусловленных поглощением $s'$-фотонов частоты $\omega_{1}$ при участии $s$-фотонов частоты $\omega_{0}$. Сумма по $s$ этих вероятностей позволила исследовать спектр $s'$-фотонного поглощения $W_{s'}(\omega_{1})$. Обе волны считаются поляризованными параллельно друг другу (${F_{0}\parallelF_{1}}$), поскольку при такой поляризации взаимодействие волн проявляется особенно заметно. Рассмотрены обе характерные поляризации поля $E$: ${E\parallelF_{j}}$ и ${E\perpF_{j}}$ (${j=0.1}$). Влияние поля $E$ на многофотонное поглощение света с частотой $\omega_{1}$ может быть существенно различным для разных областей расстройки частот ${\Omega\equiv\omega_{1}-\omega_{0}}$.