Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga

Методами Ван-дер-Пау, токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней, а также модуляционным, основанном на облучении образца пучком электронов и монохроматическим ИК светом, исследуется механизм компенсации многослойных структур на основе нелегированного GaAs, выращенного методом жидкофазной эпитаксии, в зависимости от температуры начала кристаллизации. Показано, что при ${T_{\text{н~кр}}=700{-}800^{\circ}}$С на $p^{+}$-GaAs : Zn происходит рост $n^{0}$-слоя, в компенсации которого помимо мелкой фоновой примеси принимают участие акцепторные глубокие уровни (ГУ) HL2 и HL5. При увеличении ${T_{\text{н~кр}}>800^{\circ}}$C происходит образование $p^{+}{-}p^{0}{-}i{-}n^{0}$-структур, в компенсации которых наряду с акцепторными дефектами и примесями с ГУ участвуют донорные ГУ дефекта, подобного EL2. Проведенная термообработка структур в диапазоне $500{-}850^{\circ}$С показала их высокую термостабильность.