|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1070–1075
(Mi phts3406)
|
|
|
|
Об одной особенности донора — серы в GaP
Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
Аннотация:
Рассмотрено влияние кулоновского взаимодействия на энергию
основного состояния донора — серы в нелегированном
и легированном редкоземельными и изовалентными примесями
(РЗП и ИВП) GaP. Особенности спектров примесного, поглощения в области
${6\div20}$ мкм и температурной зависимости концентрации свободных
электронов (${T=77\div300}$ K) объясняются предположением о наличии
в фосфиде галлия двух донорных уровней, связанных с серой. Энергия
одного из этих уровней (${E\sim0.104}$ эВ) близка к энергии
ионизации изолированного донора — серы, а другого — меньше этого
значения на величину порядка кулоновской энергии
взаимодействия с компенсирующими акцепторами. Примеси — индий,
таллий, итербий — стабилизируют пространственное распределение
мелких доноров и акцепторов.
Образец цитирования:
Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1070–1075
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3406 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i6/p1070
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 72 | PDF полного текста: | 42 |
|