Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1070–1075 (Mi phts3406)  

Об одной особенности донора — серы в GaP

Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев
Аннотация: Рассмотрено влияние кулоновского взаимодействия на энергию основного состояния донора — серы в нелегированном и легированном редкоземельными и изовалентными примесями (РЗП и ИВП) GaP.
Особенности спектров примесного, поглощения в области ${6\div20}$ мкм и температурной зависимости концентрации свободных электронов (${T=77\div300}$ K) объясняются предположением о наличии в фосфиде галлия двух донорных уровней, связанных с серой. Энергия одного из этих уровней (${E\sim0.104}$ эВ) близка к энергии ионизации изолированного донора — серы, а другого — меньше этого значения на величину порядка кулоновской энергии взаимодействия с компенсирующими акцепторами. Примеси — индий, таллий, итербий — стабилизируют пространственное распределение мелких доноров и акцепторов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1070–1075
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BirMilCha89}
\by Ю.~Ф.~Бирюлин, Т.~А.~Лагвилава, М.~Г.~Мильвидский, В.~А.~Писаревская, Е.~В.~Соловьева, В.~В.~Чалдышев, Ю.~В.~Шмарцев
\paper Об одной особенности донора~--- серы в~GaP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 6
\pages 1070--1075
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3406}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3406
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i6/p1070
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025